details van de producten

Created with Pixso. Huis Created with Pixso. Producten Created with Pixso.
IGBT-Module
Created with Pixso.

Compacte en lichte IGBT-module KES650H12A8L-2M voor ruimtebesparende installaties

Compacte en lichte IGBT-module KES650H12A8L-2M voor ruimtebesparende installaties

Merknaam: Krunter
Modelnummer: KES650H12A8L-2M
Detailinformatie
Moisture Sensitive:
YES
Output Current:
60A
Dimensions:
25mm x 50mm x 10mm
Close:
No Shutdown
Maximum Operating Temperature:
150°C
Input Range:
4.5V~5.5V
Collector-Emitter Voltage:
600V
Number Of Pins:
7
Lead Times:
Immediately Shipment
Contact Resistance:
30mΩ
Thermal Resistance:
0.5°C/W
Peak Repetitive Reverse:
100-1600V
Application:
Power Conversion
Qualification:
Industrial
Organization:
512 M x 16
Markeren:

Compacte IGBT-module

,

Ruimtebesparende IGBT-module

,

Lichte IGBT-module

Productomschrijving

KES650H12A8L-2M

  • Hoog vermogen met Trench FS IGBT-technologie

  • Laag VCE (sat)

  • Parallelle werking mogelijk; symmetrisch ontwerp en positieve temperatuurcoëfficiënt

  • Ontwerp met lage inductantie

  • Geïntegreerde NTC-temperatuursensor

  • Geïsoleerde basisplaat met behulp van DBC-technologie

  • Compact en robuust ontwerp met gegoten eindpunten

Schema van het interne circuit

Compacte en lichte IGBT-module KES650H12A8L-2M voor ruimtebesparende installaties 0

Specificatieparameters

TYPE VBR
Volts
VGS(th)
Volts
Identificatie
Amperen
RDS (aan)
IDSS
uA
TJ Rth ((JC)
K/W
Ptot
Watt
Circuits Pakket Technologie
KES400H12A8L-2M 1200 V 3.2V 400A 3.7mΩ 200uA 175°C 0.064 2230W 2 verpakkingen ECDUAL3 SIC MOSFET
KES650H12A8L-2M 1200 V 3.2V 650A 2.2mΩ 200uA 175°C 0.064 3200 W 2 verpakkingen SIC MOSFET


Compacte en lichte IGBT-module KES650H12A8L-2M voor ruimtebesparende installaties 1