Krunter Future Tech (Dongguan) Co., Ltd.
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
العربية
हिन्दी
Türkçe
bahasa indonesia
tiếng Việt
ไทย
বাংলা
فارسی
polski

details van de producten

Created with Pixso. Huis Created with Pixso. Producten Created with Pixso.
IGBT-Module
Created with Pixso.

Compacte en lichte IGBT-module KES650H12A8L-2M voor ruimtebesparende installaties

Compacte en lichte IGBT-module KES650H12A8L-2M voor ruimtebesparende installaties

Merknaam: Krunter
Modelnummer: KES650H12A8L-2M
Detailinformatie
Moisture Sensitive:
YES
Output Current:
60A
Dimensions:
25mm x 50mm x 10mm
Close:
No Shutdown
Maximum Operating Temperature:
150°C
Input Range:
4.5V~5.5V
Collector-Emitter Voltage:
600V
Number Of Pins:
7
Lead Times:
Immediately Shipment
Contact Resistance:
30mΩ
Thermal Resistance:
0.5°C/W
Peak Repetitive Reverse:
100-1600V
Application:
Power Conversion
Qualification:
Industrial
Organization:
512 M x 16
Markeren:

Compacte IGBT-module

,

Ruimtebesparende IGBT-module

,

Lichte IGBT-module

Productomschrijving

KES650H12A8L-2M

  • Hoog vermogen met Trench FS IGBT-technologie

  • Laag VCE (sat)

  • Parallelle werking mogelijk; symmetrisch ontwerp en positieve temperatuurcoëfficiënt

  • Ontwerp met lage inductantie

  • Geïntegreerde NTC-temperatuursensor

  • Geïsoleerde basisplaat met behulp van DBC-technologie

  • Compact en robuust ontwerp met gegoten eindpunten

Schema van het interne circuit

Compacte en lichte IGBT-module KES650H12A8L-2M voor ruimtebesparende installaties 0

Specificatieparameters

TYPE VBR
Volts
VGS(th)
Volts
Identificatie
Amperen
RDS (aan)
IDSS
uA
TJ Rth ((JC)
K/W
Ptot
Watt
Circuits Pakket Technologie
KES400H12A8L-2M 1200 V 3.2V 400A 3.7mΩ 200uA 175°C 0.064 2230W 2 verpakkingen ECDUAL3 SIC MOSFET
KES650H12A8L-2M 1200 V 3.2V 650A 2.2mΩ 200uA 175°C 0.064 3200 W 2 verpakkingen SIC MOSFET


Compacte en lichte IGBT-module KES650H12A8L-2M voor ruimtebesparende installaties 1